一种集成ILO移相器的140GHz直接升余弦包络成形发射机

摘要

本文提出了一种140GHz发射机，采用直接升余弦包络成形和宽范围相位调谐技术，在90nm SiGe BiCMOS工艺中实现。该发射机通过直接合成3电平和5电平RF包络状态来近似升余弦波形，实现了8 Gb/s的数据速率和34 dB的旁瓣抑制，并集成了注入锁定振荡器相位调谐路径，支持可扩展相控阵应用。